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关于东南大学吕俊鹏教授学术报告的通知

发布时间:2021-11-24 作者:  来源: 阅读量:[]

报告人:吕俊鹏 教授 东南大学

报告时间:2021年11月25日上午10:00

报告地点:腾讯会议ID 579186346

报告题目:二维材料缺陷光物理与光电器件应用

报告人简介:

吕俊鹏,东南大学青年首席教授,博导,国家青年高层次人才,江苏省“双创团队”领军人才,江苏省“双创人才”,东南大学“紫金青年学者”。主要从事微纳光学、光电子学等研究工作,在低维材料光与物质相互作用前沿研究中取得了创新性的研究成果,被Science Daily,Nano Werk,R&D Magazine,Science Newline,Phy.org等科学媒体广泛报道。承担或联合承担国家自然科学基金委重大研究计划培育项目、青年项目、科技部重点研发项目、江苏省“六大人才高峰”项目等。担任全国纳标委低维纳米工作组副秘书长,《物理实验》编委,Chinese Physics Letters (CPL)、Chinese Physics B (CPB)、《物理学报》和《物理》四刊联合青年编委,《半导体学报》、《量子电子学报》青年编委,中国仪器仪表学会光学仪器分会理事,江苏省物理学会电磁材料与器件分委会秘书长,江苏省青联委员,省青科协理事,省侨联青年委员会常务委员。

报告简介:

作为后石墨烯时代的新型二维材料,过渡金属硫族化合物呈现半导体特性,并且其电子结构随层数可调,随着层数由多层减薄致单层,其能带结构由间隙带隙转变为直接带隙,因而可实现光致发光。大部分二维过渡金属硫化物的带隙大小位于可见光范畴,为其在显示、照明、可见光通信等领域的应用奠定了基础。本次报告将汇报三方面的内容:1.二维过渡金属硫化物荧光图案化方面的研究进展,从边界态、缺陷空间分布、物理/化学吸附等方面探索了导致单层过渡金属硫化物荧光图案化的原因,并利用缺陷工程实现了荧光量子产率的提升。2.新型半导体材料光电转换机理研究,利用时间分辨太赫兹时域光谱技术,探测分析缺陷对光电转换器件中载流子动力学、瞬态光电导等行为的影响。3.二维高性能光电器件,利用二维/三维复合技术,实现特定功能硅基光电芯片。

集成电路科学与工程学院

2021年11月24日


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